يشترى SBR5E45P5-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SBR5E45P5-7
- رقم القطعة:
- SBR5E45P5-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14117 Pieces
- ورقة البيانات:
- SBR5E45P5-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SBR5E45P5-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SBR5E45P5-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 600mV @ 5A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 45V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI®5 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | SBR® |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerDI™ 5 |
| اسماء اخرى: | SBR5E45P5-7DITR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SBR5E45P5-7 |
| وصف موسع: | Diode Super Barrier 45V 5A Surface Mount PowerDI®5 |
| نوع الصمام الثنائي: | Super Barrier |
| وصف: | DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 280µA @ 45V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSBR5E45P5-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SBR5E45P5-7D | Diodes Incorporated | DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5 | تحقيق |
|
SBR5E45P5-13 | Diodes Incorporated | DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5 | تحقيق |
|
SBR5E45P5-13D | Diodes Incorporated | DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5 | تحقيق |
|
SBR5E60P5-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 60V 5A POWERDI5 | تحقيق |
|
SBR5E60P5-7D | Diodes Incorporated | DIODE SBR 60V 5A POWERDI5 | تحقيق |
 |
CDBUR0330 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 350MA 0603 | تحقيق |
|
SBR5E60P5-13D | Diodes Incorporated | DIODE SBR 60V 5A POWERDI5 | تحقيق |
 |
SS29-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 1.5A 90V DO-214AA | تحقيق |
 |
U8CT-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
FR12JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 | تحقيق |
|
SBR5E60P5-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 60V 5A POWERDI5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog