RQ3E100GNTB
رقم القطعة:
RQ3E100GNTB
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14274 Pieces
ورقة البيانات:
RQ3E100GNTB.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RQ3E100GNTB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RQ3E100GNTB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RQ3E100GNTB مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-HSMT (3.2x3)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11.7 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta), 15W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:RQ3E100GNTBTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RQ3E100GNTB
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:420pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7.9nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات