العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > RFM01U7P(TE12L,F)
RFM01U7P(TE12L,F)
RFM01U7P(TE12L,F)
رقم القطعة:
RFM01U7P(TE12L,F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH PW-MINI
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17966 Pieces
ورقة البيانات:
RFM01U7P(TE12L,F).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RFM01U7P(TE12L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RFM01U7P(TE12L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RFM01U7P(TE12L,F) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:7.2V
الجهد - تقييمه:20V
نوع الترانزستور:N-Channel
تجار الأجهزة حزمة:PW-MINI
سلسلة:-
مخرج قوي:1.2W
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-243AA
اسماء اخرى:RFM01U7P(TE12LF)CT
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RFM01U7P(TE12L,F)
ربح:10.8dB
تردد:520MHz
وصف موسع:RF Mosfet N-Channel 7.2V 100mA 520MHz 10.8dB 1.2W PW-MINI
وصف:MOSFET N-CH PW-MINI
التصويت الحالي:1A
الحالي - اختبار:100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRFM01U7P(TE12L,F)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
PTFA192001EV4R250XTMA1 Image PTFA192001EV4R250XTMA1 Infineon Technologies FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 تحقيق
LET20030C Image LET20030C STMicroelectronics FET RF 80V 2GHZ M243 تحقيق
BF1208,115 Image BF1208,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 تحقيق
BF256C_J35Z Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V 18MA TO92 تحقيق
BLF6G13LS-250P,112 Image BLF6G13LS-250P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B تحقيق
ARF440 Image ARF440 Microsemi Corporation PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD تحقيق
BLF6H10LS-160,112 Image BLF6H10LS-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B تحقيق
BLF546,112 Image BLF546,112 Ampleon USA Inc. RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A تحقيق
ARF442 Image ARF442 Microsemi Corporation PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD تحقيق
MRF6P9220HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ NI-860C3 تحقيق
BLF6G10LS-160RN:11 Image BLF6G10LS-160RN:11 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B تحقيق
PD57006S Image PD57006S STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 تحقيق
PTFB082817FHV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS H-34288 تحقيق

Latest الأخبار