R6008ANX
R6008ANX
رقم القطعة:
R6008ANX
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14567 Pieces
ورقة البيانات:
R6008ANX.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل R6008ANX ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك R6008ANX عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى R6008ANX مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220FM
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:800 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:R6008ANX
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:680pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:21nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات