يشترى QH8MA2TCR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
QH8MA2TCR
- رقم القطعة:
- QH8MA2TCR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16382 Pieces
- ورقة البيانات:
- QH8MA2TCR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل QH8MA2TCR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك QH8MA2TCR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TSMT8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى: | QH8MA2TCRTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | QH8MA2TCR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 365pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.4nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A, 3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لQH8MA2TCR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | تحقيق |
 |
DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN | تحقيق |
 |
FDMS3660AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN | تحقيق |
 |
DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | تحقيق |
 |
ZXMD63P02XTC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP | تحقيق |
 |
DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | تحقيق |
 |
FDC6320C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SSOT6 | تحقيق |
 |
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
RJM0603JSC-00#13 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | تحقيق |
|
IRF7350TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | تحقيق |
|
IRF7389TR | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
|
QH8MA4TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | تحقيق |
 |
CTLDM7120-M832DS TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 20V 1A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog