يشترى PMCXB900UELZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PMCXB900UELZ
- رقم القطعة:
- PMCXB900UELZ
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13586 Pieces
- ورقة البيانات:
- PMCXB900UELZ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMCXB900UELZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMCXB900UELZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1010B-6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 380mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 1727-2602-2 568-13061-2 568-13061-2-ND 934070417147 PMCXB900UEL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | PMCXB900UELZ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 21.3pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel Complementary |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPMCXB900UELZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMFD4C20NT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V SO8FL | تحقيق |
 |
SI4214DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO | تحقيق |
 |
PMCXB900UE | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | تحقيق |
 |
ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
|
PMCXB1000UEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6 | تحقيق |
|
SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6 | تحقيق |
|
ALD110800PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | تحقيق |
|
PMCXB900UEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | تحقيق |
|
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
 |
PMDT290UNE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 | تحقيق |
 |
APTC60HM70RT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F | تحقيق |
|
ALD111910PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 8DIP | تحقيق |
 |
BUK9K29-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D | تحقيق |
 |
AUIRF7303QTR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers