NVMFD5853NT1G
NVMFD5853NT1G
رقم القطعة:
NVMFD5853NT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16135 Pieces
ورقة البيانات:
NVMFD5853NT1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NVMFD5853NT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NVMFD5853NT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NVMFD5853NT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:10 mOhm @ 15A, 10V
السلطة - ماكس:3.1W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:NVMFD5853NT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1225pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:24nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات