NTR4170NT1G
NTR4170NT1G
رقم القطعة:
NTR4170NT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14153 Pieces
ورقة البيانات:
NTR4170NT1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTR4170NT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTR4170NT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTR4170NT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.4V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:55 mOhm @ 3.2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):480mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:NTR4170NT1G-ND
NTR4170NT1GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:25 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTR4170NT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:432pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4.76nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات