NTMS4N01R2G
رقم القطعة:
NTMS4N01R2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18209 Pieces
ورقة البيانات:
NTMS4N01R2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMS4N01R2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMS4N01R2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTMS4N01R2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):770mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NTMS4N01R2GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NTMS4N01R2G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1200pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:16nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 3.3A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات