NDS356AP
رقم القطعة:
NDS356AP
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16711 Pieces
ورقة البيانات:
1.NDS356AP.pdf2.NDS356AP.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NDS356AP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NDS356AP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NDS356AP مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SuperSOT-3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:200 mOhm @ 1.3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):500mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:NDS356APTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:9 Weeks
الصانع الجزء رقم:NDS356AP
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:280pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4.4nC @ 5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات