العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > MCMNP517-TP
MCMNP517-TP
MCMNP517-TP
رقم القطعة:
MCMNP517-TP
الصانع:
Micro Commercial Components (MCC)
وصف:
MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17281 Pieces
ورقة البيانات:
MCMNP517-TP.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MCMNP517-TP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MCMNP517-TP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MCMNP517-TP مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:DFN2020-6U
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:24 mOhm @ 6A, 10V
السلطة - ماكس:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-VDFN Exposed Pad
اسماء اخرى:MCMNP517
MCMNP517-TPMSTR
MCMNP517MSTR
MCMNP517MSTR-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:MCMNP517-TP
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:630pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 12V 6A, 4.1A Surface Mount DFN2020-6U
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A, 4.1A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMCMNP517-TP

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NVMFD5877NLT1G Image NVMFD5877NLT1G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC تحقيق
GWM220-004P3-SMD IXYS MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS تحقيق
AUIRF7316Q Image AUIRF7316Q Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC تحقيق
FDC6327C Image FDC6327C Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 تحقيق
SI4974DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC تحقيق
APTM50AM24SCG Microsemi Corporation MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 تحقيق
IRF8910TRPBF Image IRF8910TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC تحقيق
SIZ902DT-T1-GE3 Image SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR تحقيق
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE تحقيق
APTM50AM24SG Image APTM50AM24SG Microsemi Corporation MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 تحقيق
IRF7756TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP تحقيق
PMGD8000LN,115 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP تحقيق

Latest الأخبار