MBR20035CT
رقم القطعة:
MBR20035CT
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15689 Pieces
ورقة البيانات:
1.MBR20035CT.pdf2.MBR20035CT.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MBR20035CT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MBR20035CT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MBR20035CT مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:650mV @ 100A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):35V
تجار الأجهزة حزمة:Twin Tower
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:Twin Tower
اسماء اخرى:MBR20035CTGN
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:MBR20035CT
وصف موسع:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
نوع الصمام الثنائي:Schottky
تكوين الصمام الثنائي:1 Pair Common Cathode
وصف:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:5mA @ 20V
التيار - متوسط ​​مصحح (أيو) (لكل ديود):200A (DC)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات