يشترى IXYP15N65C3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXYP15N65C3
- رقم القطعة:
- IXYP15N65C3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 650V 38A 200W TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16530 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXYP15N65C3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXYP15N65C3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXYP15N65C3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 15A |
| اختبار حالة: | 400V, 15A, 20 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 15ns/68ns |
| تحويل الطاقة: | 270µJ (on), 230µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | GenX3™, XPT™ |
| السلطة - ماكس: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXYP15N65C3 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 19nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 650V 38A 200W Through Hole TO-220AB |
| وصف: | IGBT 650V 38A 200W TO220 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 80A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 38A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYP15N65C3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXYP15N65C3D1 | IXYS | IGBT 650V 38A 200W TO220 | تحقيق |
 |
IXXH110N65C4 | IXYS | IGBT 650V 234A 880W TO247AD | تحقيق |
|
IXYP15N65C3D1M | IXYS | IGBT 650V 16A 48W TO-220 | تحقيق |
|
IXYP10N65C3D1 | IXYS | IGBT 650V 30A 160W TO-220 | تحقيق |
 |
IRG6I330U-111P | Infineon Technologies | IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP | تحقيق |
 |
IGA03N120H2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 3A 29W TO220-3 | تحقيق |
|
IXGH40N60 | IXYS | IGBT 600V 75A 250W TO247AD | تحقيق |
 |
IXGA120N30TC | IXYS | IGBT 300V 120A 250W TO263AA | تحقيق |
|
IXYP10N65C3 | IXYS | IGBT 650V 30A 160W TO220 | تحقيق |
 |
IRGS10B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 22A 156W D2PAK | تحقيق |
 |
SGP6N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 30W TO220 | تحقيق |
|
IXGP2N100A | IXYS | IGBT 1000V 4A 25W TO220AB | تحقيق |
|
IRGS30B60KPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 78A 370W D2PAK | تحقيق |
|
IXSH45N100 | IXYS | IGBT 1000V 75A 300W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog