IXTX200N10L2
IXTX200N10L2
رقم القطعة:
IXTX200N10L2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17646 Pieces
ورقة البيانات:
IXTX200N10L2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX200N10L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX200N10L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTX200N10L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 3mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:Linear L2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1040W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTX200N10L2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:23000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:540nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات