يشترى IXTU06N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTU06N120P
- رقم القطعة:
- IXTU06N120P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19736 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTU06N120P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTU06N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTU06N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTU06N120P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 600mA (Tc) Through Hole TO-251 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTU06N120P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | تحقيق |
 |
MMSF3P02HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | تحقيق |
 |
AON6264E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN | تحقيق |
|
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | تحقيق |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
 |
IRF1010EZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
|
NTMS7N03R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STL57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT | تحقيق |
 |
IRFR3708TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | تحقيق |
 |
JANTX2N6756 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AA TO-3 | تحقيق |
|
BSS127L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 | تحقيق |
 |
IRL520LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | تحقيق |
 |
FDMS0312S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 | تحقيق |
|
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | تحقيق |
 |
SI7386DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | تحقيق |
 |
ZVN3320ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | تحقيق |
 |
FQA33N10L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog