يشترى IXTH3N120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH3N120
- رقم القطعة:
- IXTH3N120
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13733 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH3N120.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH3N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH3N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH3N120 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH3N120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH3N200P3HV | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH3N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH300N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 300A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH36N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH340N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | تحقيق |
|
IXTH34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers