يشترى IXTA2R4N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA2R4N120P
- رقم القطعة:
- IXTA2R4N120P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12410 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA2R4N120P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA2R4N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA2R4N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | Polar™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA2R4N120P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1207pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 37nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 2.4A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA2R4N120P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA28P065T | IXYS | MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTA200N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXTA260N055T2-7 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA240N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 240A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA200N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA20N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 20A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA26P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 26A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA2N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA220N04T2-7 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXTA26P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA220N055T7 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXTA27N20T | IXYS | MOSFET N-CH 20V 27A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA240N055T7 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7 | تحقيق |
|
IXTA230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA24P085T | IXYS | MOSFET P-CH 85V 24A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTA230N075T2-7 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers