يشترى IXFX360N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFX360N10T
- رقم القطعة:
- IXFX360N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13063 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFX360N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX360N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX360N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 3mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | GigaMOS™ HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1250W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFX360N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 33000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 525nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 360A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 360A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX360N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX360N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX30N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IXFX32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 | تحقيق |
 |
BUK9Y09-40B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | تحقيق |
|
IXFX32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 | تحقيق |
 |
PSMN022-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO220AB | تحقيق |
|
IXFX320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers