يشترى IXFT7N90Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT7N90Q
- رقم القطعة:
- IXFT7N90Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16660 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT7N90Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT7N90Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT7N90Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 180W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT7N90Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 56nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 7A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 7A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT7N90Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD2N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | تحقيق |
 |
LND01K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 | تحقيق |
 |
IXFT74N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 | تحقيق |
 |
IRFR220NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | تحقيق |
 |
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | تحقيق |
|
IXFT70N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 | تحقيق |
 |
US6U37TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 | تحقيق |
 |
BUK752R7-60E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
NTD110N02RST4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 100A DPAK | تحقيق |
|
IXFT70N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 70A TO-268 | تحقيق |
 |
DMTH6005LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506 | تحقيق |
 |
TK12A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS | تحقيق |
 |
IXFR64N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFT70N20Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 | تحقيق |
|
VN0550N3-G-P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 | تحقيق |
 |
DMN6040SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 60V 5A TSOT26 | تحقيق |
 |
SFT1341-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH | تحقيق |
 |
R6002ENDTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 | تحقيق |
 |
IRFR020 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | تحقيق |
|
DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers