يشترى IXFP4N100P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP4N100P
- رقم القطعة:
- IXFP4N100P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18077 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP4N100P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP4N100P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP4N100P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.3 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP4N100P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1456pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 26nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP4N100P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | تحقيق |
 |
BSP320S E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | تحقيق |
 |
STFI7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP | تحقيق |
 |
FDP2572 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRL3803PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB | تحقيق |
 |
STW48N60M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4 | تحقيق |
 |
IXFP4N85XM | IXYS | MOSFET N-CH 80V 3.5A TO220 | تحقيق |
 |
SIA441DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 12A SC-70 | تحقيق |
 |
CMUDM8001 TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 | تحقيق |
|
IXFP4N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB | تحقيق |
 |
AUIRLL024ZTR | Infineon Technologies | MOSFET NCH 55V 5A SOT223 | تحقيق |
 |
SI7804DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRFH7110TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6 | تحقيق |
 |
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | تحقيق |
 |
IXFP4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3 | تحقيق |
|
IRLR7807ZCPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 43A DPAK | تحقيق |
 |
STQ1HN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers