يشترى IXFP270N06T3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP270N06T3
- رقم القطعة:
- IXFP270N06T3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15239 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP270N06T3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP270N06T3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP270N06T3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiperFET™, TrenchT3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 480W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP270N06T3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 200nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 270A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 270A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP270N06T3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A | تحقيق |
|
IXFP20N50P3M | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 | تحقيق |
 |
2SK4016(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS | تحقيق |
 |
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IXFP22N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFN80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 | تحقيق |
 |
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFH74N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 | تحقيق |
|
IPB80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | تحقيق |
|
IXFP20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO220 | تحقيق |
 |
SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK | تحقيق |
|
IXFP24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | تحقيق |
|
IXFP22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB | تحقيق |
 |
IPB240N04S4R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | تحقيق |
 |
SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC | تحقيق |
|
IXFP26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFB82N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 | تحقيق |
|
IXFP20N85X | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
FDP8N50NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 | تحقيق |
|
IXFP220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers