يشترى IXFP20N50P3M مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP20N50P3M
- رقم القطعة:
- IXFP20N50P3M
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16225 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP20N50P3M.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP20N50P3M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP20N50P3M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 58W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP20N50P3M |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 36nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 8A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP20N50P3M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP22N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | تحقيق |
 |
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | تحقيق |
|
IXFP20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO220 | تحقيق |
|
IXFP270N06T3 | IXYS | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
NTA4001NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416 | تحقيق |
|
IXFP220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
SIB422EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6 | تحقيق |
|
IXFP26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220 | تحقيق |
 |
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | تحقيق |
|
IXFP20N85X | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
|
IXFP22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB | تحقيق |
|
IXFP230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A | تحقيق |
 |
AOTF3N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F | تحقيق |
 |
IXFH12N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers