يشترى IXFN80N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN80N60P3
- رقم القطعة:
- IXFN80N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16773 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN80N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN80N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN80N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 70 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 960W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN80N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13100pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 190nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 66A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 66A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN80N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN80N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN82N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | تحقيق |
 |
STFW3N170 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1700V 2.6A | تحقيق |
 |
STD55NH2LLT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 40A DPAK | تحقيق |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | تحقيق |
 |
AUIRLR3114Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | تحقيق |
|
IXFN80N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | تحقيق |
 |
IRFR420TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | تحقيق |
|
IXFN80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFN80N48 | IXYS | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B | تحقيق |
 |
IRL2505STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | تحقيق |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | تحقيق |
 |
MCH3475-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 | تحقيق |
 |
APT60M60JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers