يشترى IXFN56N90P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFN56N90P
- رقم القطعة:
- IXFN56N90P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18935 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFN56N90P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN56N90P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN56N90P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 3mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | Polar™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 135 mOhm @ 28A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1000W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFN56N90P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 23000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 375nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 56A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 56A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFN56N90P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SQA410EJ-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6 | تحقيق |
 |
SI7454CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
SI7120ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK | تحقيق |
 |
FQB47P06TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF640NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFN50N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFN52N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 | تحقيق |
 |
SI4654DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | تحقيق |
 |
SQJA82EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A SO8 | تحقيق |
|
IRLL110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | تحقيق |
|
IXFN520N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 | تحقيق |
|
IXFN55N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B | تحقيق |
 |
NTHD5904NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET | تحقيق |
 |
PMV16XNR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | تحقيق |
|
IXFN50N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B | تحقيق |
 |
FDA50N50 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P | تحقيق |
|
IXFN55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B | تحقيق |
 |
DMP25H18DLFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 | تحقيق |
 |
DMP2123LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers