يشترى IXFA22N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA22N65X2
- رقم القطعة:
- IXFA22N65X2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15670 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA22N65X2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA22N65X2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA22N65X2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 160 mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 390W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA22N65X2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2310pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 22A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA22N65X2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL1004L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 | تحقيق |
 |
IXFK120N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 | تحقيق |
 |
SI5913DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 | تحقيق |
 |
IXFA220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
IXFA230N075T2-7 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7 | تحقيق |
 |
IXFA20N85XHV | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
|
IXFA270N06T3 | IXYS | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
IPP26CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 | تحقيق |
 |
AOD210_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A TO252 | تحقيق |
 |
IXFA24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA | تحقيق |
|
IRL520STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IXFA26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA | تحقيق |
|
BUZ31 E3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 | تحقيق |
 |
FQP3N60C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 | تحقيق |
 |
IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | تحقيق |
 |
FDC634P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers