يشترى IRFU220_R4941 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFU220_R4941
- رقم القطعة:
- IRFU220_R4941
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13741 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFU220_R4941.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFU220_R4941 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFU220_R4941 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251AA |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 800 mOhm @ 2.4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | IRFU220_R4941-ND IRFU220FS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFU220_R4941 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 330pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 4.6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFU220_R4941
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS84LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IRFU220BTU_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | تحقيق |
|
IRFU220BTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | تحقيق |
|
IRFU220BTU_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | تحقيق |
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
|
IRFU214BTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK | تحقيق |
 |
DMP6185SE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 60V 3A SOT223 | تحقيق |
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | تحقيق |
 |
NTMFS4936NCT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | تحقيق |
|
SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
FQI8N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK | تحقيق |
 |
ECH8320-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 | تحقيق |
 |
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers