IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G
رقم القطعة:
IPP041N12N3 G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18196 Pieces
ورقة البيانات:
IPP041N12N3 G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP041N12N3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP041N12N3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPP041N12N3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 270µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO-220-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.1 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:IPP041N12N3G
IPP041N12N3GXKSA1
SP000652746
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPP041N12N3 G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13800pF @ 60V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:211nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):120V
وصف:MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات