يشترى IPL60R180P6AUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPL60R180P6AUMA1
- رقم القطعة:
- IPL60R180P6AUMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 4VSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17601 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPL60R180P6AUMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPL60R180P6AUMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPL60R180P6AUMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 750µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-VSON-4 |
| سلسلة: | CoolMOS™ P6 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 176W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-PowerTSFN |
| اسماء اخرى: | IPL60R180P6AUMA1TR SP001017098 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPL60R180P6AUMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2080pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 44nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 22.4A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 4VSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPL60R180P6AUMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON | تحقيق |
 |
IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | تحقيق |
 |
IPL60R385CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON | تحقيق |
|
IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4VSON | تحقيق |
 |
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | تحقيق |
|
IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 | تحقيق |
|
IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | تحقيق |
|
IPL60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON | تحقيق |
|
IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | تحقيق |
|
IPL60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON | تحقيق |
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | تحقيق |
|
IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | تحقيق |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers