يشترى IPI80N06S208AKSA2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPI80N06S208AKSA2
- رقم القطعة:
- IPI80N06S208AKSA2
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12260 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPI80N06S208AKSA2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI80N06S208AKSA2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI80N06S208AKSA2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 mOhm @ 58A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 215W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP001067886 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPI80N06S208AKSA2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2860pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 96nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPI80N06S208AKSA2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPI80N06S3-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | تحقيق |
|
IPI80N06S207AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S2L11AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S4L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S4L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S3L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | تحقيق |
|
IPI80N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S208AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S2L11AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S207AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI80N06S405AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | تحقيق |
 |
IPI80N06S405AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers