يشترى IPI60R199CPXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPI60R199CPXKSA1
- رقم القطعة:
- IPI60R199CPXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14585 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPI60R199CPXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI60R199CPXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI60R199CPXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 660µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 139W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | IPI60R199CP IPI60R199CP-ND IPI60R199CPX IPI60R199CPXK SP000103248 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPI60R199CPXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1520pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 43nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPI60R199CPXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPI60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 | تحقيق |
|
IPI60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK | تحقيق |
 |
IPI60R199CPXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | تحقيق |
|
IPI60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | تحقيق |
|
IPI60R600CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262 | تحقيق |
|
IPI60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGACY | تحقيق |
|
IPI60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 | تحقيق |
|
IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | تحقيق |
|
IPI60R380C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 | تحقيق |
|
IPI60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262 | تحقيق |
|
IPI60R165CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 | تحقيق |
|
IPI60R520CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262 | تحقيق |
|
IPI60R250CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers