IPD60R2K1CEBTMA1
IPD60R2K1CEBTMA1
رقم القطعة:
IPD60R2K1CEBTMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18703 Pieces
ورقة البيانات:
IPD60R2K1CEBTMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD60R2K1CEBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD60R2K1CEBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD60R2K1CEBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 60µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252-3
سلسلة:CoolMOS™ CE
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.1 Ohm @ 760mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):22W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD60R2K1CEBTMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:IPD60R2K1CEBTMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:140pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:6.7nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount TO-252-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V TO-252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات