IPD60R180P7ATMA1
رقم القطعة:
IPD60R180P7ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16382 Pieces
ورقة البيانات:
IPD60R180P7ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD60R180P7ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD60R180P7ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD60R180P7ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 280µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:CoolMOS™ P7
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:180 mOhm @ 5.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):72W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD60R180P7ATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD60R180P7ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1081pF @ 400V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات