IPB60R199CP
IPB60R199CP
رقم القطعة:
IPB60R199CP
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19111 Pieces
ورقة البيانات:
IPB60R199CP.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB60R199CP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB60R199CP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB60R199CP مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 660µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:199 mOhm @ 9.9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):139W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB60R199CP-ND
IPB60R199CPATMA1
SP000223256
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB60R199CP
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1520pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:43nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات