IPA65R1K0CEXKSA1
IPA65R1K0CEXKSA1
رقم القطعة:
IPA65R1K0CEXKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V TO220-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13525 Pieces
ورقة البيانات:
IPA65R1K0CEXKSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPA65R1K0CEXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPA65R1K0CEXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPA65R1K0CEXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 200µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO220 Full Pack
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1 Ohm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):68W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack
اسماء اخرى:SP001429758
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPA65R1K0CEXKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:328pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:15.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V TO220-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات