يشترى HGT1S20N36G3VL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
HGT1S20N36G3VL
- رقم القطعة:
- HGT1S20N36G3VL
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16020 Pieces
- ورقة البيانات:
- HGT1S20N36G3VL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HGT1S20N36G3VL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HGT1S20N36G3VL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 395V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 5V, 20A |
| اختبار حالة: | 300V, 10A, 25 Ohm, 5V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | -/15µs |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-262AA |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | HGT1S20N36G3VL |
| نوع المدخلات: | Logic |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 28.7nC |
| وصف موسع: | IGBT 395V 37.7A 150W Through Hole TO-262AA |
| وصف: | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 37.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHGT1S20N36G3VL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HGT1S20N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 164W TO263AB | تحقيق |
 |
HGT1S2N120CN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK | تحقيق |
|
HGT1S20N60A4S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 70A 290W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S12N60A4S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S7N60C3DS9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 14A 60W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S3N60A4DS9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 17A 70W D2PAK | تحقيق |
|
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S7N60C3DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 14A 60W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S7N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 34A 125W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S20N35G3VLS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 380V 20A 150W TO263AB | تحقيق |
|
HGT1S14N36G3VLS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 390V 18A 100W TO263AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog