GP2M002A065PG
GP2M002A065PG
رقم القطعة:
GP2M002A065PG
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13749 Pieces
ورقة البيانات:
GP2M002A065PG.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP2M002A065PG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP2M002A065PG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP2M002A065PG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.6 Ohm @ 900mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):52W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP2M002A065PG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:353pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات