FQB5N60CTM_WS
FQB5N60CTM_WS
رقم القطعة:
FQB5N60CTM_WS
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4.5A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15158 Pieces
ورقة البيانات:
FQB5N60CTM_WS.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FQB5N60CTM_WS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FQB5N60CTM_WS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FQB5N60CTM_WS مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:D²PAK (TO-263AB)
سلسلة:QFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:FQB5N60CTM_WSDKR
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:FQB5N60CTM_WS
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:670pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:19nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 4.5A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات