يشترى FDY3000NZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDY3000NZ
- رقم القطعة:
- FDY3000NZ
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18437 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDY3000NZ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDY3000NZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDY3000NZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-89-6 |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 446mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | FDY3000NZTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FDY3000NZ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.1nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 446mW Surface Mount SC-89-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDY3000NZ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDY300NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89 | تحقيق |
 |
BUK7K29-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 29.5A LFPAK56 | تحقيق |
 |
CSD87502Q2 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON | تحقيق |
|
CSD75301W1015 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA | تحقيق |
|
FDY302NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V SC-89-3 | تحقيق |
 |
MTM763250LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD | تحقيق |
 |
ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI1016X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | تحقيق |
 |
APTM20AM04FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | تحقيق |
|
ZXMC4559DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC | تحقيق |
 |
FDY3001NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F | تحقيق |
|
FDS6961A_F011 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
BSL308CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP | تحقيق |
 |
SI4910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
EFC6611R-TF | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP | تحقيق |
 |
SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
|
FDY301NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89 | تحقيق |
 |
SMA5131 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers