يشترى FDA16N50_F109 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3PN |
| سلسلة: | UniFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 380 mOhm @ 8.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 205W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FDA16N50_F109 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1945pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 45nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |