يشترى EPC8010ENGR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
EPC8010ENGR
- رقم القطعة:
- EPC8010ENGR
- الصانع:
- EPC
- وصف:
- TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16037 Pieces
- ورقة البيانات:
- EPC8010ENGR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC8010ENGR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC8010ENGR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | eGaN® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | - |
| اسماء اخرى: | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | EPC8010ENGR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 55pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.48nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEPC8010ENGR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC8010 | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
AOL1412 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO | تحقيق |
 |
IRF610STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
 |
2SK3746-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2A | تحقيق |
 |
NTD60N02R-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | تحقيق |
 |
HUFA75329S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | تحقيق |
|
EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
NDD05N50ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK | تحقيق |
|
EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
IRF7807APBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC8009 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers