EPC2015C
EPC2015C
رقم القطعة:
EPC2015C
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12400 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2015C.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2015C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2015C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2015C مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 9mA
فغس (ماكس):+6V, -4V
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4 mOhm @ 33A, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-1083-2
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2015C
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:980pF @ 20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.7nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 53A (Ta) Surface Mount Die
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:53A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات