العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > EPC2001C
EPC2001C
EPC2001C
رقم القطعة:
EPC2001C
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15119 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2001C.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2001C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2001C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2001C مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 5mA
فغس (ماكس):+6V, -4V
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:Die Outline (11-Solder Bar)
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7 mOhm @ 25A, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-1079-2
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2001C
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:900pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:9nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:36A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لEPC2001C

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE تحقيق
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE تحقيق
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE تحقيق
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE تحقيق
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE تحقيق
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE تحقيق
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE تحقيق
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE تحقيق
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2025 Image EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE تحقيق
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE تحقيق
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE تحقيق
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE تحقيق
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE تحقيق
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE تحقيق
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE تحقيق
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE تحقيق
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE تحقيق
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE تحقيق

Latest الأخبار