يشترى DMNH6008SCTQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMNH6008SCTQ
- رقم القطعة:
- DMNH6008SCTQ
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13936 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMNH6008SCTQ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMNH6008SCTQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMNH6008SCTQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | 20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 210W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | DMNH6008SCTQ-ND DMNH6008SCTQDI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMNH6008SCTQ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2596pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 21nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET NCH 60V 130A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMNH6008SCTQ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMNH6021SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 55A POWERDI | تحقيق |
|
DMNH6008SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI | تحقيق |
 |
DMNH6042SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2 | تحقيق |
|
DMNH6042SPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 25A TO252 | تحقيق |
|
DMNH6008SCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 130A TO220AB | تحقيق |
|
DMNH6012SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI | تحقيق |
|
DMNH6008SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI | تحقيق |
|
DMNH6012LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 80A TO252 | تحقيق |
 |
DMNH6022SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO | تحقيق |
|
DMNH6022SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO | تحقيق |
|
DMNH6012SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 50A POWERDI | تحقيق |
|
DMNH6042SPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 5.7A POWERDI | تحقيق |
|
DMNH6042SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 25A TO252 | تحقيق |
|
DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 50A TO252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers