DMN2005UFG-7
DMN2005UFG-7
رقم القطعة:
DMN2005UFG-7
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13219 Pieces
ورقة البيانات:
DMN2005UFG-7.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN2005UFG-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN2005UFG-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMN2005UFG-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerDI3333-8
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.05W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerWDFN
اسماء اخرى:DMN2005UFG-7DITR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMN2005UFG-7
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6495pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:164nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18.1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات