DMJ70H1D3SJ3
DMJ70H1D3SJ3
رقم القطعة:
DMJ70H1D3SJ3
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH TO251
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12914 Pieces
ورقة البيانات:
DMJ70H1D3SJ3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMJ70H1D3SJ3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMJ70H1D3SJ3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMJ70H1D3SJ3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-251
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):41W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 155°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMJ70H1D3SJ3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:351pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13.9nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):700V
وصف:MOSFET N-CH TO251
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات