يشترى DMG4511SK4-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG4511SK4-13
- رقم القطعة:
- DMG4511SK4-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16102 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG4511SK4-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG4511SK4-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG4511SK4-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252-4L |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 35 mOhm @ 8A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.54W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| اسماء اخرى: | DMG4511SK4-13DITR DMG4511SK413 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG4511SK4-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 850pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18.7nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 35V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.3A, 5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG4511SK4-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7331 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDG6306P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 | تحقيق |
 |
APTM100H35FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 | تحقيق |
 |
NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN | تحقيق |
|
AUIRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTC60DDAM35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 | تحقيق |
 |
SI3909DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | تحقيق |
 |
SI1970DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | تحقيق |
 |
BUK9K8R7-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK | تحقيق |
|
APTC60AM45T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
 |
SLA5065 LF830 | Sanken | MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP | تحقيق |
|
BSO203PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO | تحقيق |
|
BSO604NS2XUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog