يشترى BSZ100N03MSGATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSZ100N03MSGATMA1
- رقم القطعة:
- BSZ100N03MSGATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13997 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSZ100N03MSGATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ100N03MSGATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ100N03MSGATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSDSON-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | BSZ100N03MS G BSZ100N03MSG SP000311510 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSZ100N03MSGATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1700pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSZ100N03MSGATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | تحقيق |
 |
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | تحقيق |
 |
BSZ100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | تحقيق |
|
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
STH270N8F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | تحقيق |
 |
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | تحقيق |
|
SPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF7467 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDP8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers