يشترى BSS159N E6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS159N E6327
- رقم القطعة:
- BSS159N E6327
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12201 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS159N E6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS159N E6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS159N E6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 26µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSS159NE6327XT SP000014638 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSS159N E6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 44pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.9nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS159N E6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J507NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN | تحقيق |
 |
BSS159N H6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 | تحقيق |
|
BSS159NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS159NL6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS159N E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS159NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS159N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 | تحقيق |
 |
SPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers