يشترى BSP149L6327HTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSP149L6327HTSA1
- رقم القطعة:
- BSP149L6327HTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12581 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSP149L6327HTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSP149L6327HTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSP149L6327HTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 400µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223-4 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | BSP149 L6327 BSP149 L6327-ND BSP149L6327INTR BSP149L6327INTR-ND BSP149L6327XT SP000089214 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSP149L6327HTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 430pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSP149L6327HTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2022UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN | تحقيق |
 |
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
FQD5N60CTM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK | تحقيق |
|
BSP149 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
|
BSP149L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
SQJ457EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 36A SO8 | تحقيق |
 |
RQ5A030APTL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 | تحقيق |
 |
PHP21N06LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB | تحقيق |
|
BSP149H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
|
BSP149 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
IRFRC20TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | تحقيق |
 |
IRF7523D1TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 | تحقيق |
 |
FQE10N20LCTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 | تحقيق |
 |
BSS84AKM,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 50V SOT883 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog