يشترى APT100GT120JR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT100GT120JR
- رقم القطعة:
- APT100GT120JR
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 123A 570W SOT227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17808 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT100GT120JR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT100GT120JR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT100GT120JR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.7V @ 15V, 100A |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOTOP® |
| سلسلة: | Thunderbolt IGBT® |
| السلطة - ماكس: | 570W |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT100GT120JR |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 6.7nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| وصف موسع: | IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP® |
| وصف: | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 123A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT100GT120JR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT100GT120JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
 |
APT10045JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | تحقيق |
|
APT100GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 140A 480W SOT227 | تحقيق |
 |
APT100GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 229A 625W TMAX | تحقيق |
|
APT100GT120JRDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 123A 570W SOT227 | تحقيق |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | تحقيق |
|
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
|
APT100GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 245A 960W TMAX | تحقيق |
 |
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | تحقيق |
|
APT100GF60JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 120A 416W SOT227 | تحقيق |
|
APT100GT60B2RG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 148A 500W SOT247 | تحقيق |
|
APT100GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 153A 446W SOT227 | تحقيق |
|
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog